Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-3PF package

描述

最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低，HB2系列的性能在导通方面得到了优化。仅用于保护目的的二极管与IGBT反并联共封装。因此，该产品专为各种快速应用而设计，能够最大化效率。