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芯塔电子第二代TOPSiCTM MOSFET产品具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子（QGD*RDS）以及高温下更低导通电阻等优势。TM2G0080120JA型号已通过权威第三方AEC-Q101车规级认证及HV-H3TRB加严可靠性考核。
| 参数 | 值 |
| Part ID | TM2G5000170J |
| 封装形式Package | TO-263-7 |
| 漏源电压VDSS(V) | 1700 |
| 导通电阻RDS(on)（mΩ） | 5000 |
| 漏极电流ID（A） | 1.6 |
| 阈值电压VGS（th）(V) | 2-4 |
| 输入电容Ciss（pF） | 26 |
| 输出电容Coss（pF） | 1.5 |
| 米勒电容Crss（pF） | 0.6 |
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