最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低,HB2系列的性能在导通方面得到了优化。仅用于保护目的的二极管与IGBT反并联共封装。因此,该产品专为各种快速应用而设计,能够最大化效率。
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