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产品介绍
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-3PF package
 Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-3PF package
产品类型:IGBT
封装类型:-
产品型号:STGFW50HP65FB2
可出货量:9000.0  PCS
品牌:ST  
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  产品信息Introduction
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Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-3PF package
·发布时间:2025-04-27 14:17
·发布者:borain

描述

最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低,HB2系列的性能在导通方面得到了优化。仅用于保护目的的二极管与IGBT反并联共封装。因此,该产品专为各种快速应用而设计,能够最大化效率。

  • 所有功能

    • 最高结温:TJ = 175 °C
    • 低VCE(sat) = 1.55 V(典型值)@ IC = 50 A
    • 共封装保护二极管
    • 最小尾电流
    • 参数分布紧密
    • 低热阻
    • 正VCE(sat) 温度系数
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