安芯链 -博睿鹏成
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DIODES(美台)
muRata(村田)
FH(风华高科)
ST(意法半导体)
NXP(恩智浦)
CJiang(长江微电)
SAMWIN(芯派)
TOPE(芯塔)
Vgsemi(威兆)
TICOR(金钛科)
BENEWAKE(北醒)
汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、40 mOhm（典型值，40 A），HiP247-4封装
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-3PF package
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
IntelliFET® 低压侧电源开关(ZXMS6008N8Q)
磁封胶功率电感 (FHD4020)
SGT MOS管
IntelliFET® 低压侧电源开关(ZXMS6006SGQ)
IGBT + Diode(HCKT75N65BH2D)
IntelliFET® 低压侧电源开关(ZXMS6008DN8)
高侧/低侧极驱动器 - 车用(DGD05473FNQ)
普通整流二极管 (SS82BF~SS820BF)
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